Μετάβαση στο περιεχόμενο
Toggle navigation
Γλώσσα
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
Όλα τα πεδία
Τίτλος
Συγγραφέας
Θέμα
Ταξιθετικός Αριθμός
ISBN/ISSN
Ετικέτα
Αναζήτηση
Σύνθετη
Growth kinetics and barrier pr...
Τεκμήρια
Εμφάνιση παραπομπής
Αποστολή με SMS
Αποστολή με email
Αποθήκευση
Αποθήκευση σε RefWorks
Αποθήκευση σε EndNoteWeb
Αποθήκευση σε EndNote
Growth kinetics and barrier properties of atmospheric pressure chemical vapor deposited silicon dioxide thin films : a thesis /
Κύριος συγγραφέας:
Chapple - Sokol, Jonathan Daniel
Μορφή:
Βιβλίο
Γλώσσα:
English
Έκδοση:
Cambridge, MA. :
Harvard University,
1988
Θέματα:
Chemical vapor deposition
Thin films
Τεκμήρια
Περιγραφή
Παρόμοια τεκμήρια
Λεπτομερής προβολή
Παρόμοια τεκμήρια
Atmospheric pressure chemical vapor deposition of tin oxide films and the surface photovoltage measurements of amorphous silicon /
ανά: Proscia, James William
Έκδοση: (1988)
Handbook of thin-film deposition processes and techniques : principles, methods, equipment, and applications /
Έκδοση: (2002)
Handbook of chemical vapor deposition (CVD) : principles, technology and applications /
ανά: Pierson, Hugh O.
Έκδοση: (1992)
Vapor pressure of the chemical elements /
ανά: Nesmeyanov, A. N.
Έκδοση: (1963)
Diamond chemical vapor deposition : : nucleation and early growth stages /
ανά: Liu, Huimin
Έκδοση: (1995)
×
Φορτώνει......