Εκτίμηση της Πιθανότητας Αποτυχίας FinFET SRAM κυττάρων υπό Στατική και Χρονικά Εξαρτώμενη Μεταβλητότητα
Due to the aggressive downscaling of devices, the reliability issue has come to surface. The everlasting demand for the shrinking of dimensions has led to the introduction of the multi-gate, three dimensional FinFET device. The complexity of the new device compared to planar CMOS renders the estimat...
| Κύριοι συγγραφείς: | , |
|---|---|
| Άλλοι συγγραφείς: | |
| Μορφή: | bachelorThesis |
| Γλώσσα: | Greek English |
| Έκδοση: |
Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο. Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών. Τομέας Επικοινωνιών, Ηλεκτρονικής και Συστημάτων Πληροφορικής
2017
|
| Θέματα: | |
| Διαθέσιμο Online: | http://dspace.lib.ntua.gr/handle/123456789/45354 |