Οπτοηλεκτρονικές ιδιότητες transistor επίδρασης πεδίου από γραφένιο
Στόχος της παρούσας διπλωματικής αποτέλεσε η μελέτη των Field Effect Transistor Γραφενίου με back gate (ηλεκτρόδιο πύλης στο υπόστρωμα). Συγκεκριμένα σχεδιάσθηκε μάσκα λιθογραφίας για τα GFET, εν συνεχεία ακολούθησε η κατασκευή αυτών στον καθαρό χώρο του Ινστιτούτο Νανοεπιστήμης και Νανοτεχνολογ...
| Κύριοι συγγραφείς: | , |
|---|---|
| Άλλοι συγγραφείς: | |
| Μορφή: | bachelorThesis |
| Γλώσσα: | Greek |
| Έκδοση: |
Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο. Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών. Τομέας Ηλεκτρομαγνητικών Εφαρμογών Ηλεκτροοπτικής και Ηλεκτρονικών Υλικών
2016
|
| Θέματα: | |
| Διαθέσιμο Online: | http://dspace.lib.ntua.gr/handle/123456789/43949 |