Μετάβαση στο περιεχόμενο
Toggle navigation
Γλώσσα
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
Όλα τα πεδία
Τίτλος
Συγγραφέας
Θέμα
Ταξιθετικός Αριθμός
ISBN/ISSN
Ετικέτα
Αναζήτηση
Σύνθετη
Ακτινοβόληση με δέσμη πρωτονίω...
Τεκμήρια
Εμφάνιση παραπομπής
Αποστολή με SMS
Αποστολή με email
Αποθήκευση
Αποθήκευση σε RefWorks
Αποθήκευση σε EndNoteWeb
Αποθήκευση σε EndNote
Ακτινοβόληση με δέσμη πρωτονίων 1.5 & 6.5 MeV εμφυτεμένων MOS πυκνωτών με νανοσωματίδια Si+ /
Κύριος συγγραφέας:
Αναστασιάδης, Ιωάννης
Συγγραφή απο Οργανισμό/Αρχή:
Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο (Ελλάδα). Σχολή Εφαρμοσμένων Μαθηματικών και Φυσικών Επιστημών. Τομέας Φυσικής
Άλλοι συγγραφείς:
Τσουκαλάς, Δημήτριος
Μορφή:
Βιβλίο
Γλώσσα:
Greek
Τεκμήρια
Περιγραφή
Παρόμοια τεκμήρια
Λεπτομερής προβολή
Παρόμοια τεκμήρια
Ακτινοβόληση με πρωτόνια 7MeV πυκνωτών MOS και τρανζίστορ MOSFET εμφυτευμένων με νανοσωματίδια πυριτίου
ανά: Αράπης, Παναγιώτης Ε., κ.ά.
Έκδοση: (1970)
Ακτινοβόληση με πρωτόνια 8 MeV ηλεκτρονικών διατάξεων με εμφυτευμένα νανοσωματίδια για αποθήκευση φορτίου
ανά: Ζαχόπουλος, Γιώργος Α., κ.ά.
Έκδοση: (1970)
Μελέτη του συστήματος p+12C για ενέργειες πρωτονίων έως 7 MeV
ανά: Πανέτα, Βαλεντίνα Κ., κ.ά.
Έκδοση: (1970)
Adobe Premiere 6.5
Έκδοση: (1999)
MATLAB 6.5/
ανά: Παπαρρίζος, Κωνσταντίνος
Έκδοση: (2004)
×
Φορτώνει......