Αναστασιάδης, Ι., & Τσουκαλάς, Δ. Ακτινοβόληση με δέσμη πρωτονίων 1.5 & 6.5 MeV εμφυτεμένων MOS πυκνωτών με νανοσωματίδια Si+.
Παραπομπή Chicago StyleΑναστασιάδης, Ιωάννης, and Δημήτριος Τσουκαλάς. Ακτινοβόληση με δέσμη πρωτονίων 1.5 & 6.5 MeV εμφυτεμένων MOS πυκνωτών με νανοσωματίδια Si+.
Παραπομπή MLAΑναστασιάδης, Ιωάννης, and Δημήτριος Τσουκαλάς. Ακτινοβόληση με δέσμη πρωτονίων 1.5 & 6.5 MeV εμφυτεμένων MOS πυκνωτών με νανοσωματίδια Si+.
Πρόσοχή: Οι παραπομπές μπορεί να μην είναι 100% ακριβείς.