Μετάβαση στο περιεχόμενο
Toggle navigation
Γλώσσα
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
Όλα τα πεδία
Τίτλος
Συγγραφέας
Θέμα
Ταξιθετικός Αριθμός
ISBN/ISSN
Ετικέτα
Αναζήτηση
Σύνθετη
Terrestrial neutron-induced so...
Τεκμήρια
Εμφάνιση παραπομπής
Αποστολή με SMS
Αποστολή με email
Αποθήκευση
Αποθήκευση σε RefWorks
Αποθήκευση σε EndNoteWeb
Αποθήκευση σε EndNote
Terrestrial neutron-induced soft errors in advanced memory devices /
Άλλοι συγγραφείς:
Nakamura, Takashi, 1939-
Μορφή:
Βιβλίο
Γλώσσα:
English
Έκδοση:
Hackensack, NJ.:
World Scientific,
c2008
Θέματα:
Semiconductor storage devices
Neutron irradiation
Radiation dosimetry
Nuclear physics
Τεκμήρια
Περιγραφή
Παρόμοια τεκμήρια
Λεπτομερής προβολή
Παρόμοια τεκμήρια
Nonvolatile semiconductor memory technology : a comprehensive guide to understanding and using NVSM devices /
Έκδοση: (1998)
Semiconductor memory design and application /
ανά: Luecke, Gerald
Έκδοση: (1973)
Emerging memories : technologies and trends /
ανά: Prince, Betty
Έκδοση: (2002)
The neutron story /
ανά: Hughes, Donald J.
Έκδοση: (1959)
Neutron cross sections /
ανά: Hughes, Donald James, 1915-
Έκδοση: (1955)
×
Φορτώνει......