Μετάβαση στο περιεχόμενο
  • Γλώσσα
    • English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
Σύνθετη
  • Προσομοίωση διόδων Ge για επαφ...
  • Τεκμήρια
  • Εμφάνιση παραπομπής
  • Αποστολή με SMS
  • Αποστολή με email
  • Αποθήκευση
    • Αποθήκευση σε RefWorks
    • Αποθήκευση σε EndNoteWeb
    • Αποθήκευση σε EndNote
Εξώφυλλο

Προσομοίωση διόδων Ge για επαφές pn

Κύριοι συγγραφείς: Γκόλιας, Ευάγγελος Α., Golias, Evangelos A.
Άλλοι συγγραφείς: N/A
Μορφή: masterThesis
Έκδοση: N/A 1970
Θέματα:
Δίοδοι
Γερμάνιο
MOSFETs
Μικροηλεκτρονική
Diodes
Germanium
Microelectronics
Διαθέσιμο Online:http://hdl.handle.net/123456789/5457
  • Τεκμήρια
  • Περιγραφή
  • Παρόμοια τεκμήρια
  • Λεπτομερής προβολή

Παρόμοια τεκμήρια

  • SiGe heterojunction bipolar transistors /
    ανά: Ashburn, Peter
    Έκδοση: (2003)
  • Germanium-based technologies from materials to devices /
    Έκδοση: (2007)
  • Ακτινοβόληση με πρωτόνια 8 MeV ηλεκτρονικών διατάξεων με εμφυτευμένα νανοσωματίδια για αποθήκευση φορτίου
    ανά: Ζαχόπουλος, Γιώργος Α., κ.ά.
    Έκδοση: (1970)
  • Τροποποίηση χαρακτηριστικών λειτουργίας οργανικών διόδων εκπομπής φωτός με χρήση αλάτων τριαρυλοσουλφωνίου
    ανά: Γεωργιάδου, Δήμητρα Γ., κ.ά.
    Έκδοση: (1970)
  • Electronics for film measuring machine and its interfacing with microcomputer through GPIB /
    ανά: Δρης, Εμμανουήλ Α.
    Έκδοση: (1981)

Επιλογές αναζήτησης

  • Ιστορικό αναζητήσεων
  • Σύνθετη αναζήτηση

Βρείτε περισσότερα

  • Περιήγηση στον κατάλογο
  • Περιήγηση αλφαβητικά

Χρειάζεστε βοήθεια;

  • Συμβουλές αναζήτησης
  • Ερώτηση σε βιβλιοθηκονόμο
Φορτώνει......
Cannot write session to /tmp/vufind_sessions/sess_2111c8bpjll690r7gifqt9p1o2