Θεωρητικός υπολογισμός ρευμάτων νανοηλεκτρονικής.Εφαρμογή σε νανοσωματίδια εντός ηλεκτρονικών μνημών.
Η παρούσα διατριβή ασχολείται με τη θεμελίωση μιας θεωρίας αγωγιμότητας ρευμάτων φαινομένου σήραγγας η οποία δε θα περιέχει αυθαίρετες παραμέτρους υπό τη μορφή «ενεργών επιφανειών». Η θεωρία αυτή χρησιμοποιεί την εξίσωση Poisson και την Κβαντομηχανική προσέγγιση WKB σε τρείς διαστάσεις. Η θεωρία αυ...
| Κύριος συγγραφέας: | |
|---|---|
| Άλλοι συγγραφείς: | |
| Μορφή: | doctoralThesis |
| Γλώσσα: | Greek |
| Έκδοση: |
Σχολή Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών
2015
|
| Θέματα: | |
| Διαθέσιμο Online: | http://dspace.lib.ntua.gr/handle/123456789/43392 |