Μετάβαση στο περιεχόμενο
Toggle navigation
Γλώσσα
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
Όλα τα πεδία
Τίτλος
Συγγραφέας
Θέμα
Ταξιθετικός Αριθμός
ISBN/ISSN
Ετικέτα
Αναζήτηση
Σύνθετη
Physicla properties of III-V s...
Τεκμήρια
Εμφάνιση παραπομπής
Αποστολή με SMS
Αποστολή με email
Αποθήκευση
Αποθήκευση σε RefWorks
Αποθήκευση σε EndNoteWeb
Αποθήκευση σε EndNote
Physicla properties of III-V semiconductor compounds : InP, InAs, GaAs, GaP, InGaAs, and InGaAsP /
Κύριος συγγραφέας:
Adachi, Sadao
Μορφή:
Βιβλίο
Γλώσσα:
English
Έκδοση:
New York :
John Wiley,
1992
Θέματα:
Gallium arsenide semiconductors
Indium alloys
Τεκμήρια
Περιγραφή
Παρόμοια τεκμήρια
Λεπτομερής προβολή
Παρόμοια τεκμήρια
Modern gaAs processing methods /
ανά: Williams, Ralph
Έκδοση: (1990)
Properties of group-IV, III-V and II-VI semiconductors /
ανά: Adachi, Sadao
Έκδοση: (2005)
Principles and analysis of AIGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors/
ανά: Liou, Juin J.
Έκδοση: (1996)
GaAs MESFET circuit design /
Έκδοση: (1988)
MMIC design GaAs FETs and HEMTs /
ανά: Ladbrooke, Peter H.
Έκδοση: (1989)
×
Φορτώνει......