Ηλεκτρικός χαρακτηρισμός διατάξεων RRAM - Ασλανίδης, Ευάγγελος (Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο. Σχολή Εφαρμοσμένων Μαθηματικών και Φυσικών Επιστημών, 2016)
Αντικείμενο της παρούσας διπλωματικής διατριβής αποτελεί η μελέτη διατάξεων RRAM μέσω πειράματος και προσομοίωσης. Κάθε μία απο τις προαναφερθείσες διατάξεις απαρτίζεται απο μια δομή MIM (Metal - Insulator - Metal), με τα λεπτά υμένια να αποτελούνται απο Au και ένα μονοεπίπεδο ενεργό διηλεκτρικό TiO2, ή ένα διεπίπεδο ενεργό διηλεκτρικό TiOx/TiO2-x, 0<x<2. Μερικά απο τα δείγματα περιέχουν εμφυτευμένα νανοσωματίδια Pt και Ta στο ενεργό διηλεκτρικό τους. Αυτές οι δομές μπορούν να μεταβάλλουν την αγωγιμότητα τους κατά πολλ'ες τάξεις μεγέθους υπό κατάλληλες αλλαγές στην εφαρμοζόμενη τάση μεταξύ των πάνω και κάτω ηλεκτροδιών τους. Προτείνουμε εναν νέο αλγόριθμο, ο οποίος περιγράφει την πιθανοκρατική φύση του σχηματισμού και της διάλυσης των αγώγιμων δρόμων κατά τη διάρκεια των αγώγιμων δρόμων κατά τη διάρκεια των διαδικασιών SET και RESET αντίστοιχα, σε δείγματα με ή χωρίς νανοσωματίδια Pt. Ο αλγόριθμος αυτός λαμβάνει υπ' όψη την τυχαία κίνηση και ανακατανομή των ιόντων οξυγόνου και των ιοντικών οπών οξυγόνου λόγω των φαινομένων της γένεσης, της επανασύνδεσης και της μετανάστευσης, που οδηγούν σε διαφορετική τελική τιμή της αντίστασης κάτω απο τις ίδιεσ αρχικές συνθήκες.Χρησιμοποιήθηκε το μοντέλο TAT Trap - Assisted - Tunneling για τον υπολογισμό του ηλεκτρικού ρεύματος. Ο αλγόριθμος εκτελέστικε ως κώδικας στο MATLAB. Τέλος, παρουσιάζονται ηλεκτρικές μετρήσεις των διατάξεων RRAM στην προσπάθεια που έγινε για να αποφανθούμε κατα πόσο τέτοιου είδους διατάξειςείναι ικανές να εξομοιώσουνε νευρικές συνάψεις του εγκεφάλου.