Ηλεκτρικός χαρακτηρισμός και προσομοίωση μνημών εναλλαγής - Καραγεωργίου, Ασημίνα (Εθνικό Μετσόβιο Πολυτεχνείο. Σχολή Εφαρμοσμένων Μαθηματικών και Φυσικών Επιστημών)
Στην παρούσα εργασία μελετήθηκαν δομές εναλλαγής μνήμης: TiN/Ti/TiO2/Au/SiO2/p-Si με και χωρίς νανοσωματίδια πλατίνας στο ενεργό οξείδιο, με τη διάμετρο ή την πυκνότητά αυτών να διαφέρει. Το δείγμα αναφοράς είναι αυτό χωρίς καθόλου νανοσωματίδια κατά τη μελέτη, ενώ για τα υπόλοιπα δείγματα ισχύει πως οι διάμετροι των νανοσωματιδίων είναι 2nm ή 5nm και χαμηλής συγκέντρωσης ή 3nm και υψηλής συγκέντρωσης. Τα νανοσωματίδια εμφυτεύτηκαν με τη μέθοδο DC magnetron sputtering κατά τρόπο που να βρίσκονται στο επίπεδο του μέσου του ενεργού στρώματος. Οι δομές μελετήθηκαν ηλεκτρικά εξάγοντας χαρακτηριστικές C-V/C-f/G-V/G-f και εξετάστηκαν ως προς την εμπέδηση βάσει των οποίων παρουσιάστηκαν τα ισοδύναμά τους κυκλώματα. Τα αποτελέσματα παρουσίασαν από μικρές διαφοροποίησες σε σχέση με το δείγμα αναφοράς έως και εντελώς διαφορετική συμπεριφορά, καθιστώντας την παρουσία των νανοσωματιδίων σημαντικής διαμέτρου και πυκνότητας καθοριστικό παράγοντα. Για κάθε δείγμα προτείνεται σχεδόν ένα διαφορετικός μηχανισμός μεταγωγής λόγω των ηλεκτρικών αποτελεσμάτων , ενώ παράλληλα παρουσιάζεται για σύγκριση και μία προσομοίωση COMSOL για τις δομές αυτές, στα πλαίσια της οποίας το μοντέλο που χρησιμοποιήθηκε αφορά στη μεταγωγή που βασίζεται στη μεταπήδηση ηλεκτρονίων δια μέσω κενών θέσεων οξυγόνου.